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• 电子元器件市场 5.17 低价

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• 电子元器件市场 2.25 低价

  SSD12P10-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:100V 电流:8.8A TO

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• 电子元器件市场 1.75 低价

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• 电子元器件市场 4.21 低价

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• 电子元器件市场 5.2 低价

  IPB083N10N3G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:100

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• 电子元器件市场 2.07 低价

  FQD12N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A TO-

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• 电子元器件市场 3.16 低价

  FQD12N20-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:200V 电流:10A TO-

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• 电子元器件市场 8.34 低价

  BSC070N10NS3 G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:1

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• 电子元器件市场 1.68 低价

  CED16N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A TO-

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• 电子元器件市场 2.16 低价

  CEU12N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A TO-

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• 电子元器件市场 3.13 低价

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• 电子元器件市场 4.15 低价

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• 电子元器件市场 4.55 低价

  IPB70N10S3-12-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:10

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• 电子元器件市场 3.05 低价

  FQD12P10-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:100V 电流:8.8A TO

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• 电子元器件市场 5.26 低价

  IRF610SPBF-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:200V 电流:10A T

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• 电子元器件市场 2.09 低价

  FQP13N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:18A TO-

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• 电子元器件市场 2.04 低价

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• 电子元器件市场 7.22 低价

  IPB027N10N3G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:140

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• 电子元器件市场 7.22 低价

  FQB34P10TM-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:100V 电流:37A T

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• 电子元器件市场 3.12 低价

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• 电子元器件市场 8.34 低价

  BSC060N10NS3 G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:1

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• 电子元器件市场 5.57 低价

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• 电子元器件市场 8.76 低价

  TK100A10N1-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V TO-220F

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• 电子元器件市场 9.96 低价

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• 电子元器件市场 7.75 低价

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• 电子元器件市场 3.42 低价

  40N10 TO252-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:40A

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• 电子元器件市场 7.6 低价

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• 电子元器件市场 5.19 低价

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• 电子元器件市场 6.32 低价

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• 电子元器件市场 3.89 低价

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