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• 电子元器件市场 8.98 低价

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• 电子元器件市场 5.68 低价

  IPB70N10S3-12-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:10

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• 电子元器件市场 2.68 低价

  SSD12P10-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:100V 电流:8.8A TO

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• 电子元器件市场 9.9 低价

  BSC070N10NS3 G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:1

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• 电子元器件市场 2.46 低价

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• 电子元器件市场 3.7 低价

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• 电子元器件市场 3.63 低价

  IRF610SPBF-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:200V 电流:10A T

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• 电子元器件市场 2.57 低价

  CEU12N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A TO-

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• 电子元器件市场 2.17 低价

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• 电子元器件市场 6.17 低价

  IPB083N10N3G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:100

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• 电子元器件市场 2.42 低价

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• 电子元器件市场 3.4 低价

  CED12N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A TO-

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• 电子元器件市场 8.98 低价

  IPB027N10N3G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:140

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• 电子元器件市场 2.76 低价

  RU40L10H-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:40V 电流:14.1A SO

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• 电子元器件市场 3.92 低价

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• 电子元器件市场 3.75 低价

  FQD12N20-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:200V 电流:10A TO-

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• 电子元器件市场 5.2 低价

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• 电子元器件市场 5.17 低价

  FDP150N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A T

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• 电子元器件市场 2.25 低价

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• 电子元器件市场 1.75 低价

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• 电子元器件市场 4.21 低价

  ME50N10T-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:70A TO-

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• 电子元器件市场 5.2 低价

  IPB083N10N3G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:100

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• 电子元器件市场 3.16 低价

  FQD12N20-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:200V 电流:10A TO-

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• 电子元器件市场 2.07 低价

  FQD12N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A TO-

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• 电子元器件市场 8.34 低价

  BSC070N10NS3 G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:1

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• 电子元器件市场 2.16 低价

  CEU12N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A TO-

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• 电子元器件市场 4.15 低价

  FDP150N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A T

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• 电子元器件市场 3.13 低价

  CED12N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A TO-

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• 电子元器件市场 4.55 低价

  IPB70N10S3-12-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:10

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• 电子元器件市场 2.09 低价

  FQP13N10-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:18A TO-

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