LT30N 优惠券折扣(4)
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0.32
低价
LNA2306LT1G 场效应管 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A SOT
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0.4
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STD30NE06LT4CMD30N06全新大芯片 大量供货也可供样品及技术支持
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0.28
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LN2306LT1G-VB SOT-23 N 30V 6.5A 场效应管晶体管
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STD30NF03LT4 ST(意法半导体) 表面贴装型-N-通道-30V-30A(Tc)-
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6.92
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STD30NF06LT4 DPAK 1个N沟道 耐压:60V 电流:35A 场效应管(MOSFET
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2.14
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STD30NF06LT4-HXY 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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STD30NF06LT4 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:60V 电流:35A DPA
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STD30NE06LT4-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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LNA2306LT1G 场效应管(MOSFET) SOT-23E N沟道 30V 5.8A
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LT7430SR N沟道 TO252-2L封装 30V 46A MOS管 场效应管
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STD30NF06LT4 场效应管 30A 60V 贴片TO252 MOS-N沟道 STD30NF06L
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STN4NE03LT4-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:7A SO
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STN4NE03LT4-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:30V 电流:7A SO
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LN2306LT1G-VB SOT-23 N 30V 6.5A 场效应管
淘宝好物 燮宏微电子 场效应管营业部
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