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NTMD6N02R2G 场效应管(MOSFET) NTMD6N02: 双 N 沟道,增强模式功
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NTMD6N02R2G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:20V 电流:8A SO
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NTMD6N02R2G-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:20V 电流:8A SO
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NTMD6P02R2G安森美ON场效应晶体管N沟道MOSFET/封装SOIC-8
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NTMD6N02R2G-VB SO-8 场效应管(MOSFET) N沟道 20V 7.1A
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NTMD6N02R2G-VB 场效应管(MOSFET) SOP8 N沟道 20V 8A
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NTMD6N02R2G-VB SOP8 N 20V 7.1A 场效应管晶体管
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NTMD6P02R2G | NTMFD016N06CT1G | NTMFD020N06CT1G
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